近日,被稱為“*功率半導(dǎo)體”、使用金剛石的電力控制用半導(dǎo)體的開(kāi)發(fā)取得進(jìn)展。日本佐賀大學(xué)教授嘉數(shù)教授與精密零部件制造商日本 Orbray 合作開(kāi)發(fā)出了用金剛石制成的功率半導(dǎo)體,并以 1 平方厘米 875 兆瓦的電力運(yùn)行。
該功率半導(dǎo)體在已有的金剛石半導(dǎo)體中,輸出功率值為全球*高,在所有半導(dǎo)體中也僅次于氮化鎵產(chǎn)品的約 2090 兆瓦。與作為新一代功率半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)產(chǎn)品和氮化鎵(GaN)產(chǎn)品相比,金剛石半導(dǎo)體耐高電壓等性能出色,電力損耗被認(rèn)為可減少到硅制產(chǎn)品的五萬(wàn)分之一。
金剛石功率半導(dǎo)體的耐熱性和抗輻射性也很強(qiáng),到 2050 年前后,有望成為人造衛(wèi)星等所必需的構(gòu)件。
金剛石材料具備載流子遷移率高、載流子飽和漂移速率大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)大等特性,是制造大功率、高溫、高頻器件的理想材料,由于它的帶隙寬、熱導(dǎo)率高、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)、極高的電荷遷移率,使得金剛石半導(dǎo)體器件能夠在高頻、高功率、高電壓以及強(qiáng)輻射等十分惡劣的環(huán)境中運(yùn)行,被稱為“*半導(dǎo)體材料”。
IT之家了解到,全球天然金剛石年產(chǎn)量約為 1.5 億克拉,而人造金剛石產(chǎn)量則超過(guò) 200 億克拉,其中 95% 產(chǎn)量來(lái)自于中國(guó)大陸。
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